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반갑습니다.

반도체 설계에서 그룹 CIO까지

전동수입니다.

삼성전자 로고
전동수 프로필

삼성전자·삼성SDS 40년 반도체 전문가

메모리사업부장과 그룹 CIO를 역임

64M DRAM 개발로 일본 추격, 업계 1위 달성

전동수 활동 이미지

1983년 삼성전자 입사 후 Bipolar 설계연구원으로 시작해 DRAM 설계실장까지 15년간 반도체 기술 개발을 이끌었습니다. 64M DRAM 개발로 일본과 동등한 위치에 올라서며 그룹기술대상을 수상했습니다.

2008년 금융위기를 기회로 메모리업계 구조조정을 주도해 2010년 역대 최대실적을 달성했습니다. 3차원 VNAND 세계최초 개발과 중국 서안 공장 진출로 글로벌 생산거점을 확보했습니다.

삼성전자 비상근고문으로 활동하며 반도체협회 9대 협회장을 역임했습니다. 40년간 축적한 반도체 기술과 사업전략 경험을 바탕으로 업계 발전에 기여하고 있습니다.

이런 고민을 해결합니다

3 key areas

01

반도체 기술 격차 해소가 필요할 때

→

64M DRAM으로 일본 추격, VNAND로 업계 선도한 경험이 있습니다

02

적자사업 구조혁신이 필요할 때

→

AV사업부와 의료기기사업을 1년 만에 흑자전환시켰습니다

03

디지털 전환 전략이 필요할 때

→

삼성그룹 CIO로서 전사 IT 혁신과 상장을 성공시켰습니다

총 경력 40년

2개 기업에서 근무한

경험이 있습니다.

비상근고문

삼성전자 · 정규직

2023년 1월 - 현재 · 2년

  • ·반도체 기술 및 사업전략 자문
  • ·업계 발전 기여 활동

의료기기사업부장 겸 삼성메디슨 대표이사

삼성전자 · 정규직

2016년 1월 - 2019년 12월 · 4년

  • ·초음파의료기기 사업 흑자전환
  • ·삼성메디슨 인수 후 수익성 개선

대표이사

삼성SDS · 정규직

2014년 1월 - 2015년 12월 · 2년

  • ·성공적 상장 달성 (공모가 19만원→최대 42만원)
  • ·삼성그룹 CIO 겸임으로 전사 IT 혁신 주도

메모리사업부장

삼성전자 · 정규직

2011년 1월 - 2013년 12월 · 3년

  • ·3차원 VNAND 세계최초 개발 양산
  • ·중국 서안 공장 진출로 글로벌 생산거점 확보

경북대학교 대학원

전자공학과 석사

1983년 졸업

경북대학교

전자공학과 학사

1981년 졸업

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